Transistors. Page 85 sur 114. Avtronic

Transistor IGBT canal-N IRG4PF50WPBF

16.63€ TTC

3 En stock

Transistor IGBT canal-N 900V 51A/204Ap 200W Vce(on) : 2.25V

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PH40U

14.28€ TTC

35 En stock

Transistor IGBT N 1200V 41A 160W Vce(on): 2.43V. Boîtier: TO-247(AC).

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PH50K

20.72€ TTC

32 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.77V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 36ns. td(off): 200ns

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Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PH50KD

25.54€ TTC

12 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.77V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 87ns. td(off): 140ns

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PH50U

23.91€ TTC

36 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.78V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 35ns. td(off): 200ns

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Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PH50UD

25.70€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.78V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 47ns. td(off): 110ns

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Tarifs dégressifs

Transistor IRGB15B60KD

18.42€ TTC

48 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 31A. Puissance: 208W. Vce(on): 1.8V. Boîtier: TO-220AC. t(on): 40ns. t(off): 91ns

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Tarifs dégressifs

Transistor IRGP4068D

24.25€ TTC

24 En stock

N-IGBT+D 600V 90A/144Ap 330W (48A) Vce(on)1.65V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRGP4068DPbF. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 90 A. Ic(T-100°C): 48 A. Ic(puls): 144 A. Puissance: 160 W. VGE: 30 V. VGE(th) m

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Tarifs dégressifs

Transistor IRGP4086

15.74€ TTC

31 En stock

N-IGBT 300V 70A/250Ap 160W Vce(on)1.9V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRGP4086PbF. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 300 V. Consommation 70 A. Ic(T-100°C): 40 A. Ic(puls): 250 A. Puissance: 160 W. VGE: 30 V. VGE(th) min.: 2,6 V

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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IRGS14C40LPBF

9.18€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 400V 20A 125W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL1104

7.62€ TTC

2 En stock

Transistor IRL1104 N-MOS 40V 104A/416Ap. 167W 0.008R(74A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 104 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 74 A

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL1404

10.14€ TTC

82 En stock

Transistor IRL1404 N-MOS 40V 160A/640Ap. 200W 0.004R(110A). HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 160 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 110 A. Rds (Ohms): 0.004

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL1404Z

7.90€ TTC

119 En stock

Transistor IRL1404Z N-MOS 40V 200A/790Ap. 230W 0.005R(140A). HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 140 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL1404ZS

8.12€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de Drain maxi: 200A. Puissance: 230W. Rds: 0.005 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Boîtier: TO-263AB (CMS D2PAK).

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL2203N

5.38€ TTC

54 En stock

Transistor IRL2203N N-MOS 30V 116A/400Ap. 180W 0.07R(60A). V-MOS.Log.L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 116 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.07.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRL2505

5.94€ TTC

175 En stock

Transistor IRL2505 N-MOS 55V 104A/360Ap. 200W 0.008R(74A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 104 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 74 A. Rds (Ohms): 0.008.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL2910

7.95€ TTC

20 En stock

Transistor IRL2910 N-MOS 100V 55A/190Ap. 200W 0.026R(39A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 39 A. Rds (Ohms): 0.026.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL3103

4.03€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRL3103 N-MOS 30V 64A/220Ap. 94W 0.012R(45A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Fast Switching. Constructeur: IR. (IRL3103PBF). Boîtier: TO-220AB. RDS(on)=12mOhm. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 64 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL3705N

5.71€ TTC

12 En stock

Transistor IRL3705N N-MOS 55V 89A/310Ap. 170W 0.01R(63A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 89 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 63 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL3713

9.24€ TTC

54 En stock

Transistor IRL3713 N-MOS 30V 200A 200W 0.003R(170). SMPS Mosfet. WeryLowRds. Constructeur: IR. (IRL3713PBF). UltraLowGate. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Rds (Ohms): 0.003. Puissance: 200 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRL3713S

12.32€ TTC

34 En stock

Transistor IRL3713S N-MOS 30V 200A 200W 0.003R(170A). SMPS Mosfet. WeryLowRds. Constructeur: IR. (IRL3713SPBF). UltraLowGate. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 170 A. Rds (Ohms): 0.003

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IGBT canal-N IRG4PF50WPBF

Transistor IGBT canal-N 900V 51A/204Ap 200W Vce(on) : 2.25V

Transistor IRG4PH40U

Transistor IGBT N 1200V 41A 160W Vce(on): 2.43V. Boîtier: TO-247(AC).

Transistor IRG4PH50K

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.77V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 36ns. td(off): 200ns

Transistor IRG4PH50KD

Transistor IGBT N (+diode) 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.77V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 87ns. td(off): 140ns

Transistor IRG4PH50U

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.78V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 35ns. td(off): 200ns

Transistor IRG4PH50UD

Transistor IGBT N (+diode) 1200V. Courant de collecteur maxi: 45A. Puissance: 200W. Vce(on): 2.78V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 47ns. td(off): 110ns

Transistor IRGB15B60KD

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 31A. Puissance: 208W. Vce(on): 1.8V. Boîtier: TO-220AC. t(on): 40ns. t(off): 91ns

Transistor IRGP4068D

Transistor IRGP4086

Transistor IGBT canal-N IRGS14C40LPBF

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 400V 20A 125W

Transistor IRL1104

Transistor IRL1104 N-MOS 40V 104A/416Ap. 167W 0.008R(74A). HEXFET Power MOSFET. Log.Level. Logic Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 104 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 74 A

Transistor IRL1404

Transistor IRL1404 N-MOS 40V 160A/640Ap. 200W 0.004R(110A). HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 160 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 110 A. Rds (Ohms): 0.004

Transistor IRL1404Z

Transistor IRL1404Z N-MOS 40V 200A/790Ap. 230W 0.005R(140A). HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 140 A.

Transistor IRL1404ZS

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de Drain maxi: 200A. Puissance: 230W. Rds: 0.005 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Boîtier: TO-263AB (CMS D2PAK).

Transistor IRL2203N

Transistor IRL2203N N-MOS 30V 116A/400Ap. 180W 0.07R(60A). V-MOS.Log.L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Logic Level. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 116 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.07.

Transistor IRL2505

Transistor IRL2505 N-MOS 55V 104A/360Ap. 200W 0.008R(74A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 104 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 74 A. Rds (Ohms): 0.008.

Transistor IRL2910

Transistor IRL2910 N-MOS 100V 55A/190Ap. 200W 0.026R(39A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 39 A. Rds (Ohms): 0.026.

Transistor IRL3103

Transistor IRL3103 N-MOS 30V 64A/220Ap. 94W 0.012R(45A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Fast Switching. Constructeur: IR. (IRL3103PBF). Boîtier: TO-220AB. RDS(on)=12mOhm. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 64 A.

Transistor IRL3705N

Transistor IRL3705N N-MOS 55V 89A/310Ap. 170W 0.01R(63A). HEXFET Power MOSFET. Logic Level. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 89 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 63 A.

Transistor IRL3713

Transistor IRL3713 N-MOS 30V 200A 200W 0.003R(170). SMPS Mosfet. WeryLowRds. Constructeur: IR. (IRL3713PBF). UltraLowGate. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Rds (Ohms): 0.003. Puissance: 200 W

Transistor IRL3713S

Transistor IRL3713S N-MOS 30V 200A 200W 0.003R(170A). SMPS Mosfet. WeryLowRds. Constructeur: IR. (IRL3713SPBF). UltraLowGate. Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 200 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 170 A. Rds (Ohms): 0.003

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